Video: 7 нм техпроцесс ЧТО ЭТО? (Kasım 2024)
Geçen hafta, önümüzdeki yılın başlarında ürünlerde sevkıyat yapılması planlanan ilk 20nm başvuru işlemciler hakkında yazdım. Ancak, çip üretim şirketleri 20nm için beklediğimden biraz daha geç ise, hızlı bir şekilde bir sonraki düğüme, 14nm ve 16nm çiplerine geçmeyi planlıyorlar. Çok az sayıda 20nm cips görmemiz beni şaşırtmayacak ve bunun yerine birçok tasarımın bu nesneyi atladığını ve doğrudan bugünün en gelişmiş cipslerinde 28nm standartlarından 14 veya 16nm jenerasyona geçtiğini görmüyorum.
Tabii ki, Intel iki yıl önce 22nm cips göndermeye başlamış ve bu yılın ikinci yarısında kitlesel kullanılabilirlik için 14nm cips ile satışa başlamış durumda. Bunun yerine, Apple ve Qualcomm'dan Nvidia ve AMD'ye kadar her biri fabrikayı üreten TSMC, Samsung ve Globalfoundries gibi dökümhane olarak bilinen imalatçı firmalarını kullanan Fabless yarı iletken şirketlerinden gelen cipslerden bahsediyorum. Tüm büyük dökümhaneler 20nm'de geleneksel düzlemsel transistörleri kullanıyor, TSMC'nin 16nm, Samsung ve Globalfoundries 14nm olarak adlandırdığı bir sonraki adımda 3B veya FinFET tasarımları sunmayı planlıyor. Her iki durumda da, bu, arka ucu 20nm ile aynı tasarımda bırakırken transistörlerin kendilerini değiştirmeyi ve küçültmeyi içerecektir, bu yüzden tam jenerasyon büzülme yerine "yarım düğüm" gibi bir şeydir. (Bu ayın başlarında talaş ölçeklendirmenin karşılaştığı zorlukları tartıştım.)
Geçtiğimiz hafta bu olaydaki büyük duyuru, 14nm üretimde işbirliği yapmayı planladığını açıklayan Samsung ve Globalfoundries'den geldi, böylece çip tasarımı şirketleri aynı tasarımları her iki şirketin de fabrikalarında teorik olarak üretebildiler.
Etkili bir şekilde, bu, Samsung'un 14nm FinFET sürecini Globalfoundries'e lisansladığı, bu sayede daha fazla sayıda fabrikanın bu süreci kullanmasına olanak tanıyarak, önde gelen dökümhane olan TSMC'ye daha güçlü bir rakip yaratacağı anlamına geliyor. İki grup genellikle Apple gibi öncü müşteriler için rekabet eder. TSMC ve Samsung, birkaç hafta önce ISSCC fuarında 16 ve 14nm işlemlerinde üretilen test çiplerini gösterdi.
Samsung, Güney Kore'nin GiHeung şehrinde bulunan fabrikasında 14nm prototip üretiyor ve Globalfoundries, Saratoga, NY yakınlarındaki fabrikasında sunacak.
Duyuruda, iki şirket bu sürecin aynı gücü kullanarak yüzde 20'ye kadar daha yüksek hızda olan veya aynı hızda çalışan ve yüzde 35 daha az güç kullanan fişleri sağlayacağını söyledi. (Herhangi bir çip üreticisi hız veya güç hakkında konuştuğunda, transistör seviyesinde konuştuklarını; bitmiş ürünlerin genellikle oldukça farklı olduğunu unutmayın.) Ayrıca, bu işlemin 20nm düzlemsel teknolojiye göre yüzde 15 alan ölçeklendirmesi sağladığını, bunun yarısı için güzel bir artış sağladığını söylediler. -node. Samsung zaten prototiplenmeye başladı ve 2014 yılının sonuna kadar seri üretime başlamayı planladığını söyledi. (Yine de, bir dökümhanenin seri üretime başladığında ve cipslerin tüketici ürünlerinde görünmesi arasında genellikle birkaç ay gecikme olduğunu unutmayın.)
Bu ilk nesil Düşük Güçte Artırılmış (LPE) süreçte olacak ve 2015'te mevcut bir performans artışı sağlayan Düşük Güç Artı (LPP) süreci olacak. Globalfoundries, LPE üretimini 2015'in başlarında hızlandıracak. en azından 20nm ile arasındaki boşluk artık artmadı.
Her iki şirket de 20nm'lik işlemlerinin şu anda test ürünleri için çalıştığını söylüyor ve bu yıl daha sonra açıklanacak belirli bir ürün duymadığımız halde üretimin hızlanmasını bekliyorlar. Globalfoundries, 20nm teknolojisinin yüzde 40'a varan performans artışı sağladığını ve 28nm ürünlerinin kapı yoğunluğunun iki katı olduğunu söylerken Samsung daha önce 20nm işleminin 28nm olandan yüzde 30 daha hızlı olduğunu söyledi.
TSMC, 20nm'lik tam üretime başladığını ve yılın ikinci yarısında 20nm SoC üretimini hızlandıracağını belirtti. TSMC, 20nm işleminin, yoğunluğunun 1, 9 katı ile 28nm teknolojisine göre yüzde 30 daha yüksek hız veya yüzde 25 daha az güç sağlayabileceğini iddia etti. TSMC, 16nm seviyesine geçerek 16-FinFET ve 16-FinFET Plus işlemlerini planlıyor ve ilk versiyonun aynı güçte yüzde 30'luk bir iyileşme sunacağını söyledi. Daha yakın bir zamanda şirket, Plus sürümünün ilk sürüme kıyasla yüzde 15 oranında ek bir hız artışı veya yüzde 30 oranında güç tasarrufu sağlayacağını söyledi (toplam yüzde 40'lık hız artışı ve 20nm üzerindeki güçte yüzde 55 azalma). Bunu, 2015 yılı sonunda "risk üretimine" (erken prototipler) başlatmak üzere planlanan 10nm'lik bir versiyon izleyecek ve 16-FinFET Plus versiyonuyla karşılaştırıldığında yüzde 25 hız artışı veya yüzde 45 güç azalmasıyla Yoğunlukta 2.2 X gelişme.
Şimdiye kadar sadece Qualcomm, bu yılın ikinci yarısındaki ürünlerden dolayı TSMC tarafından üretilen ilk 20nm modem ve ilk yarısında sevk edilen ürünleri hedefleyen ilk 20nm uygulama işlemcisi Snapdragon 810 ile ilk 20nm ürününü açıkladı. Unutmayın ki, dökümhaneler seri üretimde olduklarını söylerken, gerçek tüketici ürünleri satışa çıkana kadar her zaman biraz zaman alır.
Samsung ve Globalfoundries arasındaki işbirliği, her ikisi de IBM'den yonga üretim süreçlerine dayanan Common Platform Alliance üyesi olduğu için ilginçtir. Görünüşe göre Ortak Platform 65nm'den 28nm'ye kadar teknolojileri kapsıyordu, bu yüzden bu aslında IBM'in katılımı olmadan Samsung'un işleminde bir araya gelen iki büyük üretici firma gibi görünüyor. Ancak, hem Samsung hem de Globalfoundries, 10nm ve daha fazlası için seçenekleri araştırmak üzere, Albany, NY'deki bir Ar-Ge grubu aracılığıyla IBM ile hala çalışıyor.
Şirketler sözlerini gerçekten yerine getirebiliyorlarsa, bu yılın büyük çoğunluğunu 28nm, gelecek yıl 20nm, 2016'da 14 veya 16 nm ve 2017'de 10nm kullanarak en son tüketici ürünlerini görmeliyiz. Bu arada Intel 14nm ürettiğini söylüyor. şimdi hacmimizde ve bunu, bu yılın ikinci yarısında birçok üründe görmeliyiz, iki yıl sonra 10 nm. Her yıl ürünlerimizde güç ve enerji verimliliğinde iyileşmeler görebileceğimizden, bu önümüzdeki birkaç yılı oldukça ilginç hale getirebilir.
